據國外媒體報道,今年下半年正在推進3納米制程技術量產的TSMC,在更先進的2納米制程技術研發方面取得了重大進展預計明年年中開始風險試生產
風險試產意味著TSMC的2nm工藝離量產又近了一步外媒在報道中還提到,經過一年的風險試生產,TSMC的工藝有望量產
外媒在報道中提到,如果在風險試產時2nm工藝的良率達到90%,TSMC可以改進這一工藝,并在2024年推廣量產。
TSMC正在推進2納米制程技術,晶體管架構將發生變化它不會使用鰭式場效應晶體管,而是會采用全新的MBCFET架構,也就是三星電子自3nm制程工藝以來一直采用的晶體管架構他們在去年4月宣布,3納米工藝技術將采用多橋場效應晶體管架構設計
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