三星規劃在2025年開始量產基于GAA的2納米制程產品

據BusinessKorea報道，三星電子已經規劃了未來三年3nm環繞柵極工藝的技術，并尋求在2025年量產2 nm GAA工藝。

根據消息顯示，GAA是下一代工藝技術，它改進了半導體晶體管的結構，使柵極可以接觸晶體管的所有四個側面，而不是現在FinFET工藝中的三個側面GAA結構可以比FinFET工藝更精確地控制電流

三星電子正押注于將GAA技術應用于3 nm工藝，以趕上TSMC據報道，三星在6月初將晶圓放入3 nm GAA工藝進行試產，成為全球首家使用GAA技術的公司它正尋求通過技術飛躍立即縮小與TSMC的差距與5納米工藝相比，3納米工藝的半導體性能和電池效率分別提高了15%和30%，芯片面積減少了35%

此外，TSMC此前宣布3nm工藝將于2022年量產，而TSMC則首次推出了采用納米晶圓晶體管架構的2nm工藝，將于2025年量產。